bağlantısız, lamine film, fırının sıcaklığının yavaş bir hızda 1000°C'ye yükseltilmesiyle, havada sinterlendi ve 1000°c'de 1 saat tutuldu, ve ardından sıcaklık 5°c oranında düşürüldü. /dk ila oda sıcaklığı. bu yüksek sıcaklık işlemi, gözenekli bir yapı oluşturmak için tüm karbon ve organik malzemeleri tamamen yakmak ve aynı anda cuo parçacıklarının birbiriyle iyi bir şekilde bağlanmasına olanak sağlamak için yapıldı. sinterlenmiş film bir tüpe yerleştirildi indirgeme fırını. tüp fırın ilk önce oda sıcaklığında 15 dakika, boyunca saf N2 ile ve ardından, indirgeyici gaz2.ar içinde %75 H2 veya N2 içinde %9.%1 H2 ile temizlendi bundan sonra, borudan. akmasına izin verildimi ni tüp fırın (xiamen tmaxcn inc.) 2°c/dk ile 500°C, arasında ısıtıldı ve 500°C'de 2 saat, tutuldu ve ardından 2°c/dk hızıyla azaltılarak oda sıcaklığında. cuo tabakasının 500°C'de indirgenmesi, tüm cuo partiküllerinin tamamen indirgenmesini sağlamak için yapıldı. indirgeme işlemi yapıldıktan sonra, indirgeyici gaz durduruldu, ve tüp temizlendi açılmadan önce 15 dakika daha saf N2 ile. Oksijenin fırına geri akışını en aza indirmek için indirgeme çalışması sırasında mineral yağ ile doldurulmuş tüp çıkışında bir köpürtücü kullanıldı.

si film birikimi.—hazırlanmış makro gözenekli cu substrat,ticari olarak temin edilebilen pürüzsüz cu folyo %99.9, temel bakır,karbondale, IL, ve pürüzlü yüzey cu folyo pil sınıfı, önceden hazırlanmış malzemeler, NY 1.43 cm.çapında diskler halinde kalıpla kesilmiştir .yaklaşık 1 m kalınlığında si film radyo kullanılarak püskürtmeli kaplama ile yukarıdaki üç tür cu diskin üzerine kaplanmıştır - 70 cm'lik bir kutu kaplayıcıda frekans rf magnetron püskürtme. Kullanılan püskürtme kaynağı, su soğutmalı 7.6 cm çapında güçlü bir mak katot U.S., inc.içine monte edilmişti. odanın alt kısmında. hedef malzeme 7.6cm çapında ve 0.95 cm kalınlığında silikondu. 1.1 A ve 164 V'ta çalışan bir iyon kaynağı Commonwealth Mark II kullanıldı Film biriktirmeden önce alt tabakaları 5 dakika boyunca iyonla temizlemek. için kaplama odası, alt tabakaların si hedefin . üzerinde tek bir gezegensel dönüşü için yapılandırıldı, alt tabakalar 20.3 cm çapında bir alt tabakanın yüzeyine aynı hizada monte edildi klips kullanan tutucu. hedef yüzey ile alt tabakalar arasındaki mesafe 8.9 cm. idi nihai oda basıncı, bir gece boyunca pompalandıktan sonra 6 10−7 torr idi. Hedef yüzey ile alt tabakalar arasına bir kepenk yerleştirildi . si hedefi, çökelmeye başlamadan önce 5 dakika boyunca %100 argon içinde temizlendi. hedefi temizledikten sonra, kapak, alt tabakalar üzerinde birikime izin vermek için yoldan çekildi. püskürtülen kaplamalar çöktü ortam sıcaklığında 1.5 m torr oda basıncında 20 sccm %100 ar. kullanılarak 150 W/174 V'ta çalışan bir ENI güç sistemleri rf güç kaynağı modeli OEM-6 kullanıldı. bu biriktirme koşullar ve oda konfigürasyonu, yaklaşık 0.87 m/saatlik bir si çökelme hızı ile sonuçlandı. bir cu substrat üzerinde kaplanmış si ağırlığı, püskürtmeli kaplamadan önce ve sonra numune diskinin ağırlık farkı ile elde edildi. daha sonra püskürtme ile kaplanmış si numuneleri bir vakum eldiven kutusu (xiamen tmaxcn inc.)saflaştırılmış argon. ile doldurulmuş

hücre montajı ve testi.— 1:2 hacim oranında etilen karbonat ve dimetil karbonattan oluşan bir solvent karışımı içinde 1.0 mlpf6'lık pil dereceli bir elektrolit novolyte teknolojilerinden bağımsız olarak, satın alındı ve şu şekilde kullanıldı -Honjo metal, japonya'dan. 0.5 mm kalınlığa sahip pil sınıfı lityum folyo alındı.

tip 2325 madeni para hücre kitleri kanada ulusal araştırma konseyinden satın alındı CNRC. li/si yarım hücreler, katot olarak püskürtme kaplı bir si elektrot diski, ayırıcı çapı olarak bir celgard 2500 kullanılarak torpido gözünün içine monte edildi 1.90 cm, an80 L elektrolit, ve anot olarak 1.59 cm çapında bir lityum folyo disk. bu bir pnömatik ile kıvrılmıştır. madeni para hücresi kıvrımıer xiamen TMAX pil ekipmanlarından satın alındı. daha sonra monte edilmiş madeni para hücreleri bir yarasa tery test cihazı (xiamen tmaxcn inc.). hücreler 0.02 ve 1.2 V vs li+/li arasında si filmin ac empedansı C/10. oranında çevrildi yeni birleştirilmiş yarım hücrelerdeki farklı cu levhalar, 5 mv'lik bir voltaj genliğinde 100 khz'den 10 mhz'ye kadar bir CHI 660C potansiyost at/galvanostat CH aletleri, austin, TX üzerinde ölçülmüştür.